引言：据韩媒报道，三星电子晶圆代工业务确立2030年前完成1nm级SF1.0制程工艺开发并实现量产的目标。该工艺将采用forksheet叉片晶体管结构，这是现有GAA全环绕栅极晶体管的演进版本，可进一步提升晶体管密度与性能。
《韩国经济日报》当地时间3月30日援引业内消息报道称，三星电子的晶圆代工业务已定下2030年前完成1nm级先进制程工艺SF1.0开发并转移至量产阶段的目标。
报道指出，SF1.0将采用forksheet叉片晶体管器件结构，这是现有nanosheet GAA全环绕栅极晶体管的演化版本。与标准GAA结构相比，forksheet结构新增了介质壁设计，可进一步提升晶体管密度与性能。根据国际半导体研究机构imec的研究资料，该结构又分为“内壁”与“外壁”两种类型：内壁forksheet的介质壁位于nMOS与pMOS之间，而外壁forksheet的介质壁则位于p-n结外侧。
在制程路线规划方面，三星电子计划2027年实现SF2P+工艺的商业化投产。此外，特斯拉的AI6芯片将采用三星的SF2T工艺，于2027年进入量产阶段。
值得关注的是，三星电子正在加大先进制程领域的研发投入，以期在2030年前实现1nm级工艺的突破。这将是半导体制造领域的重要里程碑，标志着芯片晶体管密度和性能将达到新的高度。
文章来源：网络
声明：本站发布的内容（图片、视频和文字）以原创、转载和分享为主，文章观点不代表本网站立场，如果涉及侵权请联系站长邮箱：sales@idmakers.cn删除，任何个人或组织，需要转载可以自行与原作者联系。
