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据韩媒报道，三星电子晶圆代工业务确立2030年前完成1nm级SF1.0制程工艺开发并实现量产的目标。该工艺将采用forksheet叉片晶体管结构，这是现有GAA全环绕栅极晶体管的演进版本，可进一步提升晶体管密度与性能。